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参数资料
| 型号： | SI6413DQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 8.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6413DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
0.024
0.018
V GS = 1.8 V
8000
6400
4800
C iss
0.012
V GS = 2.5 V
3200
0.006
V GS = 4.5 V
1600
C oss
C rss
0.000
0
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 8.8 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 8.8 A
0
14
28
42
56
70
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.05
0.04
I D = 8.8 A
0.03
1
0.02
T J = 25 °C
0.01
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72084
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6413DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ | 功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6415DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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