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参数资料
| 型号： | SI5975DC-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR 1206-8 ChipFET ?
0.093
(2.357)
0.026
(0.650)
0.016
(0.406)
0.010
(0.244)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
2
Document Number: 72593
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5980DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI5999EDU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI-5L1.880G | 制造商:HITACHIMETAL 功能描述: |
| Si5XX5X7-EVB | 功能描述:时钟和定时器开发工具 XO / VCXO Device Evaluation Board RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Evaluation Modules 类型:Clock Conditioners 工具用于评估:LMK04100B 频率:122.8 MHz 工作电源电压:3.3 V |
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