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参数资料
| 型号： | SI6966EDQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6966EDQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 5.2 A
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
2
3
4
5
6
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
30
25
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
20
0.0
15
- 0.2
10
- 0.4
- 0.6
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 115 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?70809 .
www.vishay.com
4
Document Number: 70809
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6967DQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6967DQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI6967DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 8V 5A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6967DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 8V 5A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6967DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.0A 1.1W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6968ADQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch |
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