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参数资料
| 型号： | SI6966EDQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
TSSOP:
8 LEAD
JEDEC Part Number: MO-153
MILLIMETERS
Dim
A
A 1
A 2
B
C
D
E
E 1
Min
–
0.05
0.80
0.19
–
2.90
6.20
4.30
Nom
–
0.10
1.00
0.28
0.127
3.00
6.40
4.40
Max
1.20
0.15
1.05
0.30
–
3.10
6.60
4.50
R 0.10
Corners)
D
e
E
e
L
–
0.45
0.65
0.60
–
0.75
L 1
B
C
R 0.10
(4 Corners)
L
L1
o K1
0.90 1.00
Y – –
o K1 0 _ 3 _
ECN: S-03946—Rev. G, 09-Jul-01
DWG: 5844
1.10
0.10
6 _
Document Number: 71201
06-Jul-01
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI6967DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 5.0A 1.1W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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