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参数资料
| 型号： | SI7120DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7120DN-T1-GE3DKR |
Si7120DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
3000
2500
C iss
2000
0.06
1500
0.04
1000
V GS = 4.5 V
0.02
500
C oss
C rss
V GS = 10 V
0.00
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 10 V
I D = 10 A
1.8
V GS = 10 V
I D = 10 A
1.6
6
4
1.4
1.2
1.0
2
0.8
0
0.6
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 10 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72771
S-80581-Rev. E, 17-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7121DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7121DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 52W 1.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7123DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7129DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 52.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7135DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 104W 3.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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