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参数资料
| 型号： | SI7196DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1577pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 41.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7196DP-T1-GE3DKR |
Si7196DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
40
30
20
10
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
32
24
16
8
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.015
0.013
0.011
0.009
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
2000
1600
1200
800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.007
0.005
V GS = 10 V
400
0
C rss
C oss
0
6
12
1 8
24
30
0
6
12
18
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 12 A
8
1.7
1.5
I D = 12 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
V DS = 15 V
6
4
2
0
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70336
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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