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参数资料
| 型号： | SI7328DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
| 产品目录绘图： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 18.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7328DN-T1-GE3DKR |
New Product
Si7328DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
I D = 1 8 .9 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
I D = 250 μ A
40
0.0
30
- 0.2
20
- 0.4
- 0.6
- 0.8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
P(t) = 0.0001
10
P(t) = 0.001
I D(on)
P(t) = 0.01
1
Limited
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 10
DC
BV DSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73960
S-81005-Rev. B, 05-May-08
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