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参数资料
| 型号： | SI7425DN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 12.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 300µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AN822
Vishay Siliconix
105
130
Spreading Copper (s q . in.)
120
Spreading Copper (s q . in.)
95
110
8 5
75
100
90
8 0
65
100 %
70
50 %
100 %
55
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60
0 %
0 %
45
50
0.00
0.25
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0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
Figure 5. Spreading Copper - Si7401DN
CONCLUSIONS
As a derivative of the PowerPAK SO-8, the PowerPAK
1212-8 uses the same packaging technology and has
been shown to have the same level of thermal perfor-
mance while having a footprint that is more than 40 %
smaller than the standard TSSOP-8.
Recommended PowerPAK 1212-8 land patterns are
provided to aid in PC board layout for designs using this
new package.
www.vishay.com
4
Figure 6. Spreading Copper - Junction-to-Ambient Performance
The PowerPAK 1212-8 combines small size with attrac-
tive thermal characteristics. By minimizing the thermal
rise above the board temperature, PowerPAK simplifies
thermal design considerations, allows the device to run
cooler, keeps r DS(ON) low, and permits the device to
handle more current than a same- or larger-size MOS-
FET die in the standard TSSOP-8 or SO-8 packages.
Document Number 71681
03-Mar-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QXK2E475KTP | CAP FILM 4.7UF 250VDC RADIAL |
| 150474J400LF | CAP FILM 0.47UF 400VDC AXIAL |
| WMF05P1K-F | CAP FILM 0.1UF 50VDC AXIAL |
| 3852A-282-503AL | POT 50K OHM 3/4" RD CERM |
| 3352W-1-204 | POT 200K OHM THUMBWHEEL CERM ST |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7425DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 12.6A 3.6W 16mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI742DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7430DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) WFET |
| SI7430DP_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET |
| SI7430DP_13 | 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 150 V (D-S) MOSFET |
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