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参数资料
| 型号： | SI7655DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7655DN-T1-GE3DKR |
New Product
Si7655DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
120
100
70
60
50
80
40
60
Package Limited
30
40
20
20
0
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50 75 100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Current Derating*
T C - Case Temperature ( ° C)
Power, Junction-to-Case
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 63 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Document Number: 63617
S12-2393-Rev. B, 15-Oct-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7658ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
| SI7682DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| SI7726DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
| SI7738DP-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| SI7758DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7658ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7658ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 83W 2.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7658DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 104W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7661 | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:CMOS VOLTAGE CONVERTERS |
| Si7661AA-4 | 功能描述:电荷泵 RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 功能:Inverting, Step Up 输出电压:- 1.5 V to - 5.5 V, 3 V to 11 V 输出电流:100 mA 电源电流:1 mA 最大工作温度:+ 70 C 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow 封装:Tube |
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