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参数资料
| 型号： | SI7868ADP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.25 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7868ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
60
1.2
1.0
50
V GS = 10 thru 2 V
0.8
40
0.6
30
0.4
20
T C = 125 °C
10
0
0.2
0.0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.0026
0.0024
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
7500
6000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.0022
0.0020
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4500
3000
C oss
0.0018
0.0016
1500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 15 A
8
V DS = 5 V
6
V DS = 10 V
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 15 V
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
0
20
40
60
80
100
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73384
S-80438-Rev. B, 03-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
|---|---|
| PBW-12331ZG | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V |
| ABLJO-V-155.520MHZ-T | OSC VCXO 155.520 MHZ 3.3V SMD |
| 3400S-1-254L | POT 250K OHM 1-13/16" RD WW |
| ABLJO-V-150.000MHZ-T | OSC VCXO 150.000 MHZ 3.3V SMD |
| B32620A6222J289 | FILM CAP 0.0022UF 5% 630V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7868ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7868DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison |
| SI786CG | 功能描述:DC/DC 开关控制器 3.3V Power Sup Cont RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
| SI786CG-E3 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| SI786CG-T1 | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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