参数资料
型号: SI7868ADP-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.25 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6110pF @ 10V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
PBW-12331ZG SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
ABLJO-V-155.520MHZ-T OSC VCXO 155.520 MHZ 3.3V SMD
3400S-1-254L POT 250K OHM 1-13/16" RD WW
ABLJO-V-150.000MHZ-T OSC VCXO 150.000 MHZ 3.3V SMD
B32620A6222J289 FILM CAP 0.0022UF 5% 630V
相关代理商/技术参数
参数描述
SI7868ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7868DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Si7868ADP vs. Si7868DP Specification Comparison
SI786CG 功能描述:DC/DC 开关控制器 3.3V Power Sup Cont RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK
SI786CG-E3 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel
SI786CG-T1 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 Dual 3.3V Step-Down RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel