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参数资料
| 型号： | SI8417DB |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | SI8417DB |
S-52282
Rev. A, 31-Oct-05
3
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si8417DB
www.vishay.com
Document Number: 74135
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI8417DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 12V 14.5A 6.57W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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