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参数资料
| 型号： | SI8422AB-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 18/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR DGTL 2.5KV 8SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 1Mbps |
| 传输延迟： | 35ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8 422/23 ( 2. 5 & 5 k V)
Table 9. IEC 60747-5-5 Insulation Characteristics for Si84xxxx*
Characteristic
Parameter
Maximum Working Insulation
Voltage
Symbol
V IORM
Test Condition
WB
SOIC-16
891
NB SOIC-8
560
Unit
Vpeak
Method b1
Input to Output Test Voltage
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
1671
1050
Partial Discharge < 5 pC)
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 sec
6000
4000
Vpeak
Pollution Degree
(DIN VDE 0110, Table 1)
2
2
Insulation Resistance at T S ,
V IO = 500 V
R S
>10 9
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si84xx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 10. IEC Safety Limiting Values 1
Max
Parameter
Symbol
Test Condition
WB SOIC- NB SOIC-
Unit
16
8
Case Temperature
T S
150
150
°C
Safety Input, Output, or
Supply Current
I S
? JA = 140 °C/W (NB SOIC-8), 100 °C
(WB SOIC-16),
220
160
mA
V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C
Device Power Dissipation 2
P D
150
150
mW
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure; also see the thermal derating curve in Figures 2 and 3.
2. The Si84xx is tested with VDD1 = VDD2 = 5.5 V, T J = 150 oC, C L = 15 pF, input a 150 Mbps 50% duty cycle square
wave.
18
Rev. 1.3
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PDF描述 |
|---|---|
| 647080-2 | CONN RCPT 2POS 24AWG .100 TIN |
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| 1625955-6 | RES 35M OHM 100W 10% TF LUG |
| 70-ODC5R | OUTPUT MODULE STD 10MA 5VDC |
| 3-647000-4 | CONN RCPT 4POS 22AWG .100 RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8422AB-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 2.5kV Isolator RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AB-D-ISR | 功能描述:DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/μs 数据速率:1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:35ns，35ns 脉宽失真（最大）:25ns 上升/下降时间（典型值）:2ns， 2ns 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 |
| Si8422AD-A-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator, 1M, 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AD-A-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:DUAL CH 5KV ISOLATOR, 1M, 1/1, SOIC16, LEAD FREE - Tape and Reel |
| Si8422AD-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 1M 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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