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参数资料
| 型号： | SI8422AB-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 22/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR DGTL 2.5KV 8SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 1Mbps |
| 传输延迟： | 35ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8 422/23 ( 2. 5 & 5 k V)
3. Device Operation
Device behavior during start-up, normal operation, and shutdown is shown in Figure 7, where UVLO+ and UVLO-
are the positive-going and negative-going thresholds respectively. Refer to Table 12 to determine outputs when
power supply ( V DD ) is not present.
Table 12. Si84xx Logic Operation Table
V I Input 1, 4 VDDI State 1,2,3 VDDO State 1,2,3
V O Output 1, 4
Comments
H
P
P
H
L
X 5
P
UP
P
P
L
H 6 (Si8422/23)
Normal operation.
Upon transition of VDDI from unpowered to
L 6
(Si8410/20/21) powered, V O returns to the same state as V I in
less than 1 μs.
X 5
P
UP
Undetermined
Upon transition of VDDO from unpowered to
powered, V O returns to the same state as V I
within 1 μs.
Notes:
1. VDDI and VDDO are the input and output power supplies. V I and V O are the respective input and output terminals.
2. Powered (P) state is defined as 2.72.60 V < VDD < 5.5 V.
3. Unpowered (UP) state is defined as VDD = 0 V.
4. X = not applicable; H = Logic High; L = Logic Low.
5. Note that an I/O can power the die for a given side through an internal diode if its source has adequate current.
6. See "6. Ordering Guide" on page 29 for details. This is the selectable fail-safe operating mode (ordering option). Some
devices have default output state = H, and some have default output state = L, depending on the ordering part number
(OPN).
22
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 647080-2 | CONN RCPT 2POS 24AWG .100 TIN |
| 3-647003-4 | CONN RCPT 4POS 28AWG .100 GREEN |
| 1625955-6 | RES 35M OHM 100W 10% TF LUG |
| 70-ODC5R | OUTPUT MODULE STD 10MA 5VDC |
| 3-647000-4 | CONN RCPT 4POS 22AWG .100 RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8422AB-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 2.5kV Isolator RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AB-D-ISR | 功能描述:DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/μs 数据速率:1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:35ns，35ns 脉宽失真（最大）:25ns 上升/下降时间（典型值）:2ns， 2ns 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 |
| Si8422AD-A-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator, 1M, 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AD-A-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:DUAL CH 5KV ISOLATOR, 1M, 1/1, SOIC16, LEAD FREE - Tape and Reel |
| Si8422AD-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 1M 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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