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参数资料
| 型号： | SI8463BB-A-IS1 |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 22/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 3/3 |
| 通道数： | 6 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 6ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8460/61/62/63
2.3. Device Operation
Device behavior during startup, normal operation, and shutdown is shown in Table 12.
Table 12. Si846x Logic Operation Table
V I
Input 1,2
H
VDDI
State 1,3,4
P
VDDO
State 1,3,4
P
V O Output 1,2
H
Comments
Normal operation.
L
P
P
L
X 5
X 5
UP
P
P
UP
L
Undetermined
Upon transition of VDDI from unpowered to powered, V O
returns to the same state as V I in less than 1 μs.
Upon transition of VDDO from unpowered to powered, V O
returns to the same state as V I within 1 μs.
Notes:
1. VDDI and VDDO are the input and output power supplies. V I and V O are the respective input and output terminals.
2. X = not applicable; H = Logic High; L = Logic Low; Hi-Z = High Impedance.
3. “Powered” state (P) is defined as 2.70 V < VDD < 5.5 V.
4. “Unpowered” state (UP) is defined as VDD = 0 V.
5. Note that an I/O can power the die for a given side through an internal diode if its source has adequate current.
22
Rev. 1.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OAC5Q | OUTPUT MODULE AC QUAD 20MA 5VDC |
| 2853/1 BK005 | HOOK-UP WIRE 26AWG BLACK 100' |
| SI8640BD-B-IS | IC ISOLATOR 4CH 5.0KV 16-SOIC |
| KAL25JB40R0 | RES 40 OHM 25W 5% WW ALM |
| SI8642ED-B-IS | IC ISOLATOR 4CH 5.0KV 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si8463BB-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 2.5kV Isolator 150M 6/3 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8463BBBIS1 | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| Si8463BB-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 2.5kV Isolator 150M 6/3 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8463BB-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 2.5kV Isolator 150M 6/3 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8465DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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