参数资料
型号: SI8463BB-A-IS1
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 25/36页
文件大小: 0K
描述: IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC
视频文件: Digital Isolation Overview
Digital Isolators vs. Optocouplers
标准包装: 48
系列: ISOpro
输入 - 1 侧/2 侧: 3/3
通道数: 6
电源电压: 2.7 V ~ 5.5 V
电压 - 隔离: 2500Vrms
数据速率: 150Mbps
传输延迟: 6ns
输出类型: 逻辑
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 管件
工作温度: -40°C ~ 125°C
Si8460/61/62/63
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5V
3.3V
2.70V
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
Data Rate (Mbps)
Figure 13. Si8463 Typical V DD1 or V DD2 Supply
Current vs. Data Rate 5, 3.3, and 2.70 V
Operation (15 pF Load)
10
9
Falling Edge
8
7
Rising Edge
6
5
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
Temperature (Degrees C)
Figure 14. Propagation Delay vs. Temperature
Rev. 1.5
25
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PDF描述
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参数描述
Si8463BB-A-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 2.5kV Isolator 150M 6/3 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8463BBBIS1 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
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SI8465DB-T2-E1 功能描述:MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube