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参数资料
| 型号： | SI9169BQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CONV BUCK BOOST 20TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 应用： | 转换器，1 芯锂离子便携式通信设备 |
| 输入电压： | 2.7 V ~ 6 V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 可调至 1.3V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Product is End of Life 3/2014
Si9169
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
2.7 V < V DD < 6 V,
V IN/OUT = 3.3 V, V S = 3.3 V
Min a
Limits e
Typ b
Max a
Unit
SD, SYNC, PWM/PSM
Logic High
Logic Low
Input Current
V IH
V IL
I L
2.4
- 1.0
0.8
1.0
V
μA
Oscillator
Maximum Frequency
Accuracy
Maximum Duty Cycle
F MAX
Nominal 1.60 MHz, R OSC = 30 k Ω
Si9169BQ
2
- 20
75
85
20
MHz
(Buck, Non LDO Mode)
Maximum Duty Cycle (Boost)
D MAX
F SW = 2 MHz
Si9169DQ
Si9169BQ
Si9169DQ
73
52
50
85
65
65
%
SYNC Range
SYNC Low Pulse Width
SYNC High Pulse Width
SYNC t r , t f
F SYNC /F OSC
1.2
50
50
1.5
50
ns
Error Amplifier
Input Bias Current
Open Loop Voltage Gain
I BIAS
A VOL
V FB = 1.5 V
-1
50
60
1
μA
dB
FB Threshold
V FB
T A = 25 °C
1.270
1.255
1.30
1.30
1.330
1.340
V
Unity Gain BW
BW
2
MHz
Output Current
I EA
Source (V FB = 1.05 V), V COMP = 0.75 V
Sink (V FB = 1.55 V), V COMP = 0.75 V
1
-3
3
-1
mA
Output Current
Output Current
Boost Mode c
V OUT ≤ 4.2 V
1000
Boost Mode
(PWM)
Output Current
(PSM)
Buck Mode d
c
Buck Mode d
I OUT
1.8 V ≤ V OUT ≤ 5.0 V
V IN = 3.3 V, V OUT = 3.6 V
V IN = 3.6 V, V OUT = 2.7 V
1000
150
150
mA
r DS(on) N-Channel
r DS(on) P-Channel
r DS(on)
V S ≥ 3.3 V
130
160
300
330
m Ω
Over Temperature Protection
Trip Point
Hysteresis
Rising Temperature
165
25
°C
Supply
Normal Mode
V DD = 3.3 V, F OSC = 2 MHz
500
750
PSM Mode
I DD
V DD = 3.3 V
180
250
μA
Shutdown Mode
V DD = 3.3 V, SD = 0 V
1
Notes:
a. The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum.
b. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
c. V IN = V DD , V OUT = V IN/OUT = V S = V O , L = 1.5 μH, V IN ≤ V OUT
d. V IN = V DD = V S = V IN/OUT , V OUT = V O , L = 1.5 μH, V IN ≥ V OUT
e. Limits are for both Si9169BQ (- 25 °C to 85 °C) and Si9169DQ (- 40 °C to 85 °C) unless otherwise noted.
Document Number: 70945
S-72058-Rev. E, 08-Oct-07
www.vishay.com
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