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参数资料
| 型号： | SI9933CDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 58 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 665pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si9933CDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.058 at V GS = - 4.5 V
- 20
0.094 at V GS = - 2.5 V
I D (A) a, e
-4
-4
Q g (Typ.)
8
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? Load Switch
? DC/DC Converter
SO-8
S 1
S 2
S 1
1
8
D 1
G 1
S 2
G 2
2
3
4
7
6
5
D 1
D 2
D 2
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si9933CDY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si9933CDY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
± 12
- 4 e
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
- 4 e
- 4 b, c, e
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Source-Drain Current Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Single-Pulse Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
- 3.8 b, c
- 20
- 2.5
- 1.7 b, c
-6
1.8
A
mJ
T C = 25 °C
3.1
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2
2 b, c
W
T A = 70 °C
1.28 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 50 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Limit
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
R thJA
R thJF
52
32
62.5
40
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 10 s.
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.
e. Package Limited.
Document Number: 68791
S-81729-Rev. A, 04-Aug-08
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI9933CDY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P CHANNEL MOSFET -20V SOIC |
| SI9933CDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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