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参数资料
| 型号： | SI9933CDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 58 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 665pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si9933CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.0 8
0.06
0.04
I D = - 4. 8 A
T J = 125 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
T J = 25 °C
1
0.02
0.1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
1.3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
40
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
30
20
0. 8
10
0.7
0.6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited b y R DS(on) *
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68791
S-81729-Rev. A, 04-Aug-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI9933CDY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL P CHANNEL MOSFET -20V SOIC |
| SI9933CDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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