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参数资料
| 型号： | SIA448DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 12.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1380pF @ 1V |
| 功率 - 最大： | 19.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIA448DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA448DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
30
24
18
12
V GS = 5 V thru 2 V
V GS = 1.5 V
10
8
6
4
T C = 25 ° C
6
V GS = 1 V
2
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
0.030
0.024
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 1.5 V
1800
1350
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.018
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
900
0.012
V GS = 4.5 V
450
C oss
C rss
0.006
0
0
6
12 18
24
30
0
5 10 15
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 12.4 A
6
1.6
1.4
I D = 12.4 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 5 V
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.1
0.9
0.6
V GS = 2.5 V
0
5
10 15 20
25
- 50
- 25
0 25 50 75 100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63918
S12-1138-Rev. A, 21-May-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA449DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIA449DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA450DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 240V 290mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA450DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 240V 290mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA456DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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