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参数资料
| 型号： | SIA448DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 12.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1380pF @ 1V |
| 功率 - 最大： | 19.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIA448DJ-T1-GE3DKR |
Package Information
Vishay Siliconix
PowerPAK ? SC70-6L
e
b
e
b
PIN1
D1
PIN6
K 3
P IN2
PIN5
K1
PIN3
D2
PIN4
K2
K2
PIN1
D1
PIN6
PIN2
PIN5
K1
PIN3
D1
PIN4
K2
BACK S IDE VIEW OF S INGLE
D
z
SINGLE PAD
A
Z
DETAIL Z
BACK S IDE VIEW OF DUAL
Note s :
1. All dimen s ion s a re in millimeter s
2. P a ck a ge o u tline excl us ive of mold fl as h a nd met a l bu rr
3 . P a ck a ge o u tline incl us ive of pl a ting
DUAL PAD
DIM
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
A1
b
C
D
D1
0.675
0
0.23
0.15
1.98
0.85
0.75
-
0.30
0.20
2.05
0.95
0.80
0.05
0.38
0.25
2.15
1.05
0.027
0
0.009
0.006
0.078
0.033
0.030
-
0.012
0.008
0.081
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0.032
0.002
0.015
0.010
0.085
0.041
0.675
0
0.23
0.15
1.98
0.513
0.75
-
0.30
0.20
2.05
0.613
0.80
0.05
0.38
0.25
2.15
0.713
0.027
0
0.009
0.006
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0.030
-
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0.002
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0.085
0.028
D2
0.135
0.235
0.335
0.005
0.009
0.013
E
E1
1.98
1.40
2.05
1.50
2.15
1.60
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0.081
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1.98
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2.15
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0.085
0.041
E2
E3
e
K
K1
K2
0.345
0.425
0.395
0.475
0.65 BSC
0.275 TYP
0.400 TYP
0.240 TYP
0.445
0.525
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0.016
0.019
0.026 BSC
0.011 TYP
0.016 TYP
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0.021
0.65 BSC
0.275 TYP
0.320 TYP
0.252 TYP
0.026 BSC
0.011 TYP
0.013 TYP
0.010 TYP
K3
K4
0.225 TYP
0.355 TYP
0.009 TYP
0.014 TYP
L
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0.007
0.011
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0.175
0.275
0.375
0.007
0.011
0.015
T
0.05
0.10
0.15
0.002
0.004
0.006
ECN: C-07431 ? Rev. C, 06-Aug-07
DWG: 5934
Document Number: 73001
06-Aug-07
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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| SIA450DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 240V 290mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA456DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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