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参数资料
| 型号： | SIA461DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 17.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIA461DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA461DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
P DM
t t t 1 1 1
1. D D u u u ty Cycle, D D = = =
1. D ty Cycle, D
ty Cycle,
2. Per Unit Base = R thJA = 8 0 °C/ W
2. Per Unit Base = R thJA
2.
3. T T JM - - T T A A A A = = P P DM Z Z thJA(t)
3. T JM - T = P DM Z thJA(t)
DM thJA (t)
JM
DM thJA
4. S S u u u rface Mo u u u nted
4. S rface Mo nted
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
4. rface Mo nted
DM
JM
t t 1 1 1 1
t
t 2
1
t
t 2
thJA
(t)
Per Unit Base thJA °C/ W
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?63838 .
www.vishay.com
6
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63838
S12-0539-Rev. A, 12-Mar-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA511DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
| SIA513DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 |
| SIA533EDJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
| SIA777EDJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L |
| SIA811DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA462DJ-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
| SIA467EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
| SiA467EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -12V .013Ohm@4.5V 31A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA477EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA483DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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