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参数资料
| 型号： | SIA461DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 17.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIA461DJ-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC70-6L Single
0.300 (0.012)
0.650 (0.026)
0.550 (0.022)
0.475 (0.019)
0.350 (0.014)
0.275 (0.011)
2.200 (0.087)
1.500
(0.059)
0.870 (0.034)
0.235 (0.009)
0.355 (0.014)
0.350 (0.014)
1
0.650 (0.026)
0.300 (0.012)
0.950 (0.037)
Dimensions in mm/(Inches)
Return to Index
Document Number: 70486
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SIA477EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA483DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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