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参数资料
| 型号： | SIA914DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 特色产品： | Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 53 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.5nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIA914DJ-T1-GE3DKR |
New Product
SiA914DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
16
12
8
V GS = 5 thru 2.5 V
V GS = 2 V
8
6
4
4
V GS = 1.5 V
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.16
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.14
V GS = 1. 8 V
500
0.12
0.10
400
300
C iss
0.0 8
V GS = 2.5 V
200
0.06
0.04
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 4.8 A
6
1.6
1.5
1.4
1.3
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V , I D = 3.7 A
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.2
4
1.1
1.0
2
0
0.9
0. 8
0.7
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 74956
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA917DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA915DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA917DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIA917DJ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA917DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 110mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA920DJ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
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