型号: | SIDC07D60F6 |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 22.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | 3.41 X 2.12 MM, DIE-2 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | SIDC07D60F6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SIG01-09 | 30 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SIN01-12R | 300 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SJ5620US | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SJ6113 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SJ6136US | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SIDC07D60F6_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode 600V Emitter Controlled technology 70 μm chip soft , fast switching |
SIDC08D120F6 | 功能描述:DIODE FAST SWITCH 1200V 7A WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
SIDC08D120H6 | 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 10A WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
SIDC08D60C6 | 功能描述:DIODE FAST SW 600V 30A WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
SIDC08D60C6Y | 功能描述:DIODE FAST SW SAWED WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |