参数资料
型号: SIDC07D60F6
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分类: 整流器
英文描述: 22.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: 3.41 X 2.12 MM, DIE-2
文件页数: 3/4页
文件大小: 101K
代理商: SIDC07D60F6
SIDC07D60F6
Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L4364M, Edition 2.1, 09.03.2010
Chip Drawing
A: Anode pad
A
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PDF描述
SIG01-09 30 A, 900 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SIN01-12R 300 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SJ5620US 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SJ6113 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
SJ6136US 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SIDC07D60F6_10 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode 600V Emitter Controlled technology 70 μm chip soft , fast switching
SIDC08D120F6 功能描述:DIODE FAST SWITCH 1200V 7A WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
SIDC08D120H6 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 10A WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
SIDC08D60C6 功能描述:DIODE FAST SW 600V 30A WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
SIDC08D60C6Y 功能描述:DIODE FAST SW SAWED WAFER RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879