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参数资料
| 型号： | SIE848DF-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A1
b1
b2
b3
b4
b5
c
D
D1
E
E1
H1
H2
H3
H4
K1
K2
K3
K4
M1
M2
M3
M4
P1
T1
T2
T3
T4
T5
θ
MIN.
0.75
0.00
0.48
0.41
2.19
0.89
0.23
0.20
6.00
5.74
5.01
4.75
0.23
0.45
0.31
0.45
4.22
1.08
1.37
0.24
4.30
3.43
0.22
0.05
0.15
3.48
0.56
1.20
3.90
0
0°
NOM.
0.80
-
0.58
0.51
2.29
1.04
0.33
0.25
6.15
5.89
5.16
4.90
-
-
0.41
-
4.37
1.13
-
-
4.50
3.58
-
-
0.20
3.64
0.76
-
-
0.18
10°
MAX.
0.85
0.05
0.68
0.61
2.39
1.19
0.43
0.30
6.30
6.04
5.31
5.05
-
0.56
0.51
0.56
4.52
1.18
-
-
4.70
3.73
-
-
0.25
4.10
0.95
-
-
0.36
12°
MIN.
0.030
0.000
0.019
0.016
0.086
0.035
0.009
0.008
0.236
0.226
0.197
0.187
0.009
0.018
0.012
0.018
0.166
0.043
0.054
0.009
0.169
0.135
0.009
0.002
0.006
0.137
0.022
0.047
0.153
0.000
0°
NOM.
0.031
-
0.023
0.020
0.090
0.041
0.013
0.010
0.242
0.232
0.203
0.193
-
-
0.016
-
0.172
0.044
-
-
0.177
0.141
-
-
0.008
0.143
0.030
-
-
0.007
10°
MAX.
0.033
0.002
0.027
0.024
0.094
0.047
0.017
0.012
0.248
0.238
0.209
0.199
-
0.022
0.020
0.022
0.178
0.046
-
-
0.185
0.147
-
-
0.010
0.161
0.037
-
-
0.014
12°
ECN: T-08441-Rev. C, 11-Aug-08
DWG: 5946
Notes
Millimeters govern over inches.
www.vishay.com
2
Document Number: 72945
Revision: 11-Aug-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHB30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE848DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE850DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE850DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE854DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE854DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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