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参数资料
| 型号： | SIHG20N50C-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| 产品目录绘图： | SIHG Series TO-247 |
| 特色产品： | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2942pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 292W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
SiHG20N50C
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V) at T J max.
560
Definition
R DS(on) ( Ω )
Q g (Max.) (nC)
Q gs (nC)
Q gd (nC)
Configuration
V GS = 10 V
76
21
34
Single
D
0.270
? Low Figure-of-Merit R on x Q g
? 100 % Avalanche Tested
? High Peak Current Capability
? dV/dt Ruggedness
? Improved T rr /Q rr
? Improved Gate Charge
? High Power Dissipations Capability
TO-247AC
G
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
S
S
G
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free
Lead (Pb)-free and Halogen-free
TO-247AC
SiHG20N50C-E3
SiHG20N50C-GE3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
500
± 30
UNIT
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) e
Current a
Pulsed Drain
V GS at 10 V
T C = 25 °C
T C = 100 °C
I D
I DM
20
11
80
A
Linear Derating Factor
1.8
W/°C
Single Pulse Avalanche Energy b
Maximum Power Dissipation
Peak Diode Recovery dV/dt c
E AS
P D
dV/dt
361
250
5
mJ
W
V/ns
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
for 10 s
T J , T stg
- 55 to + 150
300 d
°C
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
b. V DD = 50 V, starting T J = 25 °C, L = 2.5 mH, R g = 25 Ω , I AS = 17 A.
c. I SD ≤ 18 A, dI/dt ≤ 380 A/μs, V DD ≤ V DS , T J ≤ 150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. Limited by maximum junction temperature.
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case (Drain)
SYMBOL
R thJA
R thJC
TYP.
-
-
MAX.
40
0.5
UNIT
°C/W
Document Number: 91382
S11-0440-Rev. C, 14-Mar-11
www.vishay.com
1
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| SIHP12N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| SIHP5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
| SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHG22N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 22A 312W 230mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHG22N60E_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHG22N60E-E3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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