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参数资料
| 型号： | SIHG20N50C-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| 产品目录绘图： | SIHG Series TO-247 |
| 特色产品： | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2942pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 292W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
SiHG20N50C
Vishay Siliconix
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
Pulse Time (s)
Fig. 10 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case (TO-247)
V DS
R D
V DS
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
t p
V DD
10 V
V DS
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
I AS
Fig. 11a - Switching Time Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
V DS
90 %
10 %
V GS
10 V
V G
Q GS
Q G
Q GD
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 11b - Switching Time Waveforms
L
Charge
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Current regulator
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
Same type as D.U.T.
50 k Ω
R g
D.U.T
I AS
+
-
V DD
12 V
0.2 μF
0.3 μF
D.U.T.
+
-
V DS
10 V
t p
0.01 Ω
V GS
3 mA
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91382
S11-0440-Rev. C, 14-Mar-11
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| SIHP12N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| SIHP5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
| SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHG22N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 22A 312W 230mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHG22N60E_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHG22N60E-E3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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