- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIHG20N50C-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 500V 20A TO247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIHG20N50C-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| 产品目录绘图： | SIHG Series TO-247 |
| 特色产品： | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2942pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 292W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
Package Information
www.vishay.com
TO-247AC (High Voltage)
Vishay Siliconix
4
A
A
B
3 R/2
E
E/2
S
A2
A
7 ?P
? k M D B M
(Datum B)
?P1
Q
D2
2xR
(2)
D
4
D1
4
1
2
3
D
Thermal pad
4
5 L1
C
L
4
See view B
A
E1
0.01 M D B M
2 x b2
3xb
0.10 M C A M
b4
2x e
A1
C
Planting
V iew A - A
(b1, b3, b5)
Base metal
Lead Assignments
1. Gate
D DE
E
2. Drain
3. Source
4. Drain
C
C
(c)
c1
(b, b2, b4)
(4)
View B
Section C - C, D - D, E - E
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
DIM. MIN. MAX.
A 4.58 5.31
A1 2.21 2.59
A2 1.17 2.49
b 0.99 1.40
b1 0.99 1.35
b2 1.53 2.39
b3 1.65 2.37
b4 2.42 3.43
b5 2.59 3.38
c 0.38 0.86
c1 0.38 0.76
D 19.71 20.82
D1 13.08 -
MIN. MAX.
0.180 0.209
0.087 0.102
0.046 0.098
0.039 0.055
0.039 0.053
0.060 0.094
0.065 0.093
0.095 0.135
0.102 0.133
0.015 0.034
0.015 0.030
0.776 0.820
0.515 -
DIM.
D2
E
E1
e
?k
L
L1
N
?P
? P1
Q
R
S
MIN. MAX.
0.51 1.30
15.29 15.87
13.72 -
5.46 BSC
0.254
14.20 16.25
3.71 4.29
7.62 BSC
3.51 3.66
- 7.39
5.31 5.69
4.52 5.49
5.51 BSC
MIN. MAX.
0.020 0.051
0.602 0.625
0.540 -
0.215 BSC
0.010
0.559 0.640
0.146 0.169
0.300 BSC
0.138 0.144
- 0.291
0.209 0.224
0.178 0.216
0.217 BSC
ECN: X13-0103-Rev. D, 01-Jul-13
DWG: 5971
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Contour of slot optional.
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at
the outermost extremes of the plastic body.
4. Thermal pad contour optional with dimensions D1 and E1.
5. Lead finish uncontrolled in L1.
6. ? P to have a maximum draft angle of 1.5 to the top of the part with a maximum hole diameter of 3.91 mm (0.154").
7. Outline conforms to JEDEC outline TO-247 with exception of dimension c.
8. Xian and Mingxin actually photo.
Revision: 01-Jul-13
1
Document Number: 91360
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| SIHP12N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| SIHP5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
| SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHG22N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 22A 312W 230mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHG22N60E_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHG22N60E-E3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。