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参数资料
| 型号： | SIHG20N50C-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| 产品目录绘图： | SIHG Series TO-247 |
| 特色产品： | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2942pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 292W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
SiHG20N50C
Vishay Siliconix
10 5
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
1000
Operation in this area limited
by R DS(on)
10 4
C oss = C ds + C gd
C iss
100
10 3
10
100 μs
1 ms
10 2
C oss
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
10 ms
Single Pulse
10
C rss
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10 000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
20
16
I D = 17 A
V DS = 400 V
V DS = 250 V
V DS = 100 V
20
15
12
10
8
5
4
0
0
0
30
60
90
120
25
50
75
100
125
150
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
100
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
V GS = 0 V
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
www.vishay.com
4
Document Number: 91382
S11-0440-Rev. C, 14-Mar-11
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| SIHP12N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
| SIHP5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB |
| SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHG22N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 22A 312W 230mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHG22N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHG22N60E_13 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHG22N60E-E3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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