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参数资料
| 型号： | SIR-56SB3F/LM |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SIR-56SB3F/LM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR-33ST3F/KL | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SIR-33ST3F/LM | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SIR-381SB3F/LM | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SIR-3881ST3F | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm |
| SIR-481ST3F/LN | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR-56ST3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Infrared light emitting diode, top view type |
| SIR-56ST3F | 功能描述:红外发射源 IR LED FOR REMOTE CONTROLLER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SIR-56ST3F_07 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Infrared light emitting diode, top view type |
| SIR-56ST3FF | 功能描述:EMITTER IR 950NM 5MM RoHS:是 类别:光电元件 >> 红外发射极 系列:- 标准包装:1,200 系列:- 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:27mW/sr @ 100mA 波长:940nm 正向电压:1.6V 视角:40° 方向:顶视图 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 包装:带卷 (TR) |
| SIR640ADP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 40V 1.7MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 1.7mohm@10V |
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