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参数资料
| 型号： | SIR404DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8130pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR404DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR404DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
64
4 8
32
16
V GS = 10 V thr u 3 V
10
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0025
0.0021
0.0017
0.0013
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
10 000
8 000
6000
4000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0009
0.0005
2000
0
C rss
C oss
0
16
32
4 8
64
8 0
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
8
1.5
V GS = 10 V
6
V DS = 10 V
4
V DS = 5 V
1.2
V GS = 2.5 V
V DS = 15 V
0.9
2
0
0.6
0
30
60
90
120
150
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64815
S09-0873-Rev. A, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR406DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR406DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 40A 48W 3.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR408DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR408DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR410DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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