- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录515 > SIR406DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIR406DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2083pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiR406DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
14
0
V GS = 10 V thru 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0050
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0045
V GS = 4.5 V
2240
C iss
0.0040
0.0035
0.0030
0.0025
V GS = 10 V
16 8 0
1120
560
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
8
V DS = 5 V
2.0
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 15 A
6
1.4
V GS = 10 V
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0
0. 8
0.5
0
7
14
21
2 8
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64982
S09-1095-Rev. A, 15-Jun-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR414DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC |
| SIR418DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| SIR436DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| SIR440DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC |
| SIR462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR408DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR408DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR410DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR410DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 35A 36W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR412DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。