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参数资料
| 型号： | SIR472DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 29.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIR472DP-T1-GE3DKR |
SiR472DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.030
0.025
0.020
1
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.015
0.1
0.010
T J = 25 °C
0.01
0.001
0.005
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.0
30
1. 8
I D = 250 μ A
1.6
20
1.4
10
1.2
1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
0.01
Limited by R DS(on) *
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68897
S-82488-Rev. C, 13-Oct-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR474DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
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| SIR800DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR474DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIR474DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR476DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR482DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR484DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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