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参数资料
| 型号： | SIR474DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 985pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 29.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiR474DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
8 .0
6.4
4. 8
20
10
0
3.2
1.6
0.0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.015
0.013
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1300
1040
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.011
V GS = 4.5 V
7 8 0
0.009
0.007
V GS = 10 V
520
260
C oss
C rss
0.005
0
0
10
20
30
40
50
0.0
2.4
4. 8
7.2
9.6
12.0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
8
1. 8
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 10 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 10 V
V DS = 15 V
V DS = 20 V
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0.0
3.7
7.4
11.1
14. 8
1 8 .5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68996
S-82749-Rev. A, 10-Nov-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SIR484DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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