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参数资料
| 型号： | SIR850DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 41.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1662 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIR850DP-T1-GE3DKR |
SiR850DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
60
V GS = 10 thru 4 V
1.0
0. 8
50
40
0.6
T C = 25 °C
30
V GS = 3 V
0.4
20
0.2
10
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.00 8 5
0.0070
V GS = 4.5 V
1200
900
C iss
V GS = 10 V
600
C oss
0.0055
300
C rss
0.0040
0
0
20
40
60
8 0
100
120
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 12.5 V
1.5
I D = 20 A
V GS = 10 V
V DS = 6.25 V
6
4
2
0
V DS = 1 8 .75 V
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V
0
5
10
15
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68825
S-82287-Rev. B, 22-Sep-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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