- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIR878ADP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIR878ADP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
| 特色产品： | ThunderFET? |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1275pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 44.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR878ADP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR878ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
64
V GS = 10 V thru 5 V
10
8
48
32
16
V GS = 4 V
6
4
2
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
0
V GS = 3 V
V GS = 2 V
0
T C = - 55 ° C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.025
0.021
0.017
0.013
0.009
0.005
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 7.5 V
V GS = 10 V
1800
1440
1080
720
360
0
C iss
C oss
C rss
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0
16
32
48
64
80
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 10 A
I D = 15 A
V GS = 10 V
8
6
V DS = 50 V
1.7
1.4
4
V DS = 25 V
V DS = 75 V
1.1
V GS = 4.5 V
2
0
0.8
0.5
0
6
12 18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 63369
S11-1999-Rev. B, 10-Oct-11
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR878DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
| SIR890DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR892DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR928-6C-F | LED IR SIDE GAA1AS WATER CLR AXL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR878DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIR878DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR880ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIR880ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 6.3mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR880DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 100 % UIS Tested |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。