- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIRA10DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIRA10DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2425pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIRA10DP-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS412DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK |
| SIS426DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 |
| SIS436DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8 |
| SIS452DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK |
| SIS456DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIRA12DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA12DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIRA14DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA14DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIRA18DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。