1N5259BTA2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5259BTA2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ONN
原厂封装
最新
-

1/1页 40条/页共3条
1

您是不是要找： 1N5259B-TAP 1N5259B-TP 1N5259B-TR 1N5259BUR-1 1N5259C-TAP 1N5259C-TR 1N5259TA 1N5260A 1N5260A (DO-35)

1N5259BTA2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N5259BTA2 技术参数

1N5259BTA 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 29V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5259B-T 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5259B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5259B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5259B TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5260B 1N5260B (DO-35) 1N5260B A0G 1N5260B BK 1N5260B TR 1N5260B_T50A 1N5260B_T50R 1N5260BDO35 1N5260BDO35E3 1N5260B-T 1N5260B-T50A 1N5260BTA 1N5260B-TAP 1N5260B-TP 1N5260B-TR 1N5260BUR-1 1N5260C-TAP 1N5260C-TR