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1STS824N

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1STS824N 技术参数
  • 1SS427,L3M 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:0.3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-923 供应商器件封装:SOD-923 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1SS424(TPL3,F) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):500mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:20pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS423(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对串联 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):620mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 1SS417CT,L3F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):620mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS417,L3M 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):620mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 40V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:fSC 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SV263-TL-E 1SV264-TL-E 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F 1SV279TH3FT 1SV280,H3F 1SV281(TPH3,F) 1SV281TH3FT 1SV282TPH3F 1SV285TPH3F 1SV304TPH3F 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F) 1SV308(TH3,F) 1SV308,L3F 1SV310TPH3F
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