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2SK4093TZ-E

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    2SK4093TZ-E

    2SK4093TZ-E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Renesas Electronics Ameri

  • TO-92MOD

  • 17+

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  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 250V 1A 3-Pin TO-92 Mod Box
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET - Tape and Reel
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 250V 1A TO-92
2SK4093TZ-E 技术参数
  • 2SK4089LS 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4088LS-1E 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 2SK4088LS 功能描述:MOSFET N-CH 650V TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4087LS-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):610 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 2SK4087LS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-220F 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):610 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4124-1E 2SK4125 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E 2SK4181-TL-E 2SK4196LS 2SK4196LS-1E 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209
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