2SK596C-HSD-SPA

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2SK596C-HSD-SPA
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
9000
SANYO
TO-92
07+
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原装现货/特价

2SK596C-HSD-SPA
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
SANYO
TO-92
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-
一级代理.原装特价现货！

2SK596C-HSD-SPA
深圳市粤科源兴科技有限公司
深圳市粤科源兴科技有限公司
联系人：谢先生
电话：13392885468
地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室
资质：营业执照
561258
SANYO
TO-92S
13+
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原装现货/价格优势

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2SK596C-HSD-SPA 技术参数

2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1.7pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 欧姆 @ 10mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:3,000 2SK536-MTK-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SK4222 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:340 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4221 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:240 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3