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2SK7500

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2SK7500 技术参数
  • 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):14.5mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):14.5mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):10mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715V 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):10mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715U-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):7.3mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G
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