配单专家企业名单

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说明
操作

2SK852-T1
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
NEC
SOT-23
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK852-T1(X1)
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15825
申请特价
TEL83745907
2005
-
全新原装现货

2SK852-T1
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
24870
NEC
SOT-323
18+
-
专注品牌长期供应

2SK852-T1(X1)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
14560
NEC
SOT323
2024+
-
绝对现货

2SK852-T1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5269
NEC
SOT323
23+
-
原厂原装正品现货

2SK852-T
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
NEC
SOT
22+
-
全新原装现货供应

2SK852-T1-A
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
NEC
SOT23-4
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SK852-T1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEC
SC-70
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK852-T1
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
NEC
SC-70
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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2SK852-T 技术参数

2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:14.5mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:14.5mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12

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