ALD110900SA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ALD110900SAL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1020
ADVANCED
1521+
-
全新原装现货

ALD110900SAL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

ALD110900SAL
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Advanced Linear Devices I
8-SOIC
17+
-
全新原装现货

ALD110900SAL
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
985
Advanced Linear Devices I
8-SOIC
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

1/1页 40条/页共12条
1

您是不是要找： ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL ALD110904PAL ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL

ALD110900SA PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ALD110900SA PDF下载

制造商
ALD
制造商全称
Advanced Linear Devices
功能描述
QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY

ALD110900SA 技术参数

ALD110900PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD110900ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD110900APAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1108ESCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48 ALD1108EPCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道，配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 ALD110914PAL ALD110914SAL ALD1110EPAL ALD1110ESAL ALD1115MAL ALD1115PAL ALD1115SAL ALD1116PAL ALD1116SAL ALD1117PAL ALD1117SAL ALD111910MAL ALD111910PAL ALD111910SAL ALD111933MAL ALD111933PAL ALD111933SAL ALD112