APT38M50J全国供应商 APT38M50J资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT38M50J
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
ISOTOP?
17+
-
全新原装现货

APT38M50J
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

APT38M50J
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT38M50J
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
250
APT
38A/500V/MOS/1U
2024+
-
全新现货价格优势

APT38M50J
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
MICROSEMI
正品封装
23+
-
正规商现货供应

APT38M50J
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APT38M50J
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
20000
APT
ISOTOP/FONT>
14+
-
全新原装，进口现货，准时交货，量大优惠

APT38M50J
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APT38M50J
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
POWER MOS 8™
标准包装
10
系列
*

APT38M50J 技术参数

APT38F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:240 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8070pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT38F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:41A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:240 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8070pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT38F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT37M100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT37M100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60JDQ2 APT40GP60SG APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2

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