APT47N06BC3

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说明
操作

APT47N06BC3
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
02+
TO-247
-
假一罚十，百分百原装正品

APT47N06BC3
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

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您是不是要找： APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG

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APT47N06BC3 技术参数

APT47M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT47GA60JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:283W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 电流 - 集电极截止（最大值）:275μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.32nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT47F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT46GA90JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:87A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT45M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN