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APTGT35X120RTP3G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
35A/1200V/PIM/7U
2024+
-
全新现货价格优势

APTGT35X120RTP3G
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
APT
原厂原装
23+
-
只做原装正品

APTGT35X120RTP3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
98653
原厂
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

APTGT35X120RTP3G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
APT
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

APTGT35X120RTP3G
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
原厂原装
21+
-
只做原装正品

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APTGT35X120RTP3G 技术参数

APTGT35SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT35H120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT35H120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT35DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G APTGT400U120D4G APTGT400U170D4G APTGT450A60G APTGT450DA60G APTGT450DU60G APTGT450SK60G APTGT50A1202G APTGT50A120D1G APTGT50A120T1G APTGT50A120TG APTGT50A170D1G APTGT50A170T1G APTGT50A170TG APTGT50A60T1G APTGT50DA120D1G

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