APTGT750U60D4G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGT750U60D4G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
D4
17+
-
全新原装现货

APTGT750U60D4G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGT750U60D4G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTGT750U60D4G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGT750U60D4G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MICROSEMI
MODULE
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
IGBT 600V 1000A 2300W D4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGT750U60D4G 技术参数

APTGT600U170D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 1100A 2900W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:51nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGT600U120D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 900A 2500W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:900A 功率 - 最大值:2500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:40nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGT600SK60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 700A 2300W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:49nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT600DU60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 700A 2300W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双，共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:49nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT600DA60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 700A 2300W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:49nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT75DA170D1G APTGT75DA170T1G APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G APTGT75DH120TG APTGT75DH60T1G APTGT75DH60TG APTGT75DSK60T3G APTGT75DU120TG APTGT75H120TG APTGT75H60T1G APTGT75H60T2G APTGT75H60T3G APTGT75SK120D1G APTGT75SK120T1G APTGT75SK120TG APTGT75SK170D1G